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MICRON DDR2 內(nèi)存

發(fā)布時(shí)間：2021-07-09 17:01:56 瀏覽：1252

MICRON在技術(shù)創(chuàng)新內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)域出現(xiàn)全球現(xiàn)實(shí)，狀況MICRON方案加快了數(shù)據(jù)信息智能化的轉(zhuǎn)換，鼓勵(lì)著全球以解決速率學(xué)習(xí)培訓(xùn)、溝通交流和進(jìn)步。MICRON提供世界上最廣泛的技術(shù)應(yīng)用組合，作為當(dāng)今社會(huì)最重要的突發(fā)性突破的核心理念，如人工智能技術(shù)和自動(dòng)駕駛汽車(chē)。

MICRON DDR2 內(nèi)存

Width：x8, x16

Voltage：1.8V

Package：FBGA

Clock Rate：400 MHz

Op. Temp：0C to +85C, -40C to +95C, -40C to +105C, -40C to 125C

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司，以庫(kù)存MICRON高可靠性?xún)?nèi)存顆粒芯片和工業(yè)級(jí)內(nèi)存條為特色產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)。歡迎咨詢(xún)合作。

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MICRON (2).png

功能/選項(xiàng)	DDR2	DDR3	DDR3優(yōu)勢(shì)
電壓（內(nèi)核和 I/O）	1.8V	1.5V	降低內(nèi)存系統(tǒng)電源需求
標(biāo)準(zhǔn)低壓選項(xiàng)	不	是 (1.35V)	提供與 1.5V 標(biāo)準(zhǔn) DDR3 匹配的低電壓 DDR2
密度（生產(chǎn)）	256Mb 至 4Gb	1Gb 至 4Gb	高密度組件以更少的芯片數(shù)量實(shí)現(xiàn)大內(nèi)存子系統(tǒng)
預(yù)?。?/span>MIN WRITE 突發(fā)）	4 位	8 位	降低核心速度依賴(lài)性以提高產(chǎn)量
t CK - DLL 已啟用	125 兆赫至 400 兆赫	300 兆赫至 800 兆赫	支持更高的數(shù)據(jù)速率
數(shù)據(jù)速率（每針 MT/s）	533、667、800 Mb/s	800,1066,1333,1600 Mb/s	遷移到更高的數(shù)據(jù)帶寬
突發(fā)長(zhǎng)度 (BL)	BL4、BL8	BC4、BL8	BC4 減輕了一些“BL8”要求
突發(fā)類(lèi)型	固定，通過(guò) LMR	(1) 固定，通過(guò) MRS (2) OTF，“即時(shí)”	OTF 允許在沒(méi)有 MRS 命令的情況下在 BC4 和 BL8 之間切換
數(shù)據(jù)選通	差分或單端	僅差速器	通過(guò)減少選通串?dāng)_提高系統(tǒng)時(shí)序裕度
ODT（芯片端接）	R TT : 50, 75, 150 歐姆	R T T : 20,30,40,60,120 歐姆	更多 ODT 選項(xiàng)可提高信號(hào)保真度并支持更高的數(shù)據(jù)速率
動(dòng)態(tài) ODT	沒(méi)有任何	120, 60 歐姆	改進(jìn)了多個(gè)時(shí)隙中的信令；點(diǎn)對(duì)點(diǎn)應(yīng)用中的引腳減少
DQ 驅(qū)動(dòng)器阻抗	18 歐姆	34 歐姆	針對(duì) 2 插槽和點(diǎn)對(duì)點(diǎn)系統(tǒng)進(jìn)行了優(yōu)化
驅(qū)動(dòng)器/ODT 校準(zhǔn)	沒(méi)有任何	外接電阻	提高電壓和溫度范圍內(nèi)的精度
多用途寄存器 (MPR)	沒(méi)有任何	四個(gè)寄存器 - 1 個(gè)定義 3 個(gè) RFU	支持讀取校準(zhǔn)
寫(xiě)調(diào)平	沒(méi)有任何	DQS 捕獲 CK，DQ 驅(qū)出 CK 的狀態(tài)	校正模塊使用的飛越布局
模塊	240 針 SODIMM（無(wú)緩沖、寄存、全緩沖） 200 針 SODIMM	240 針 UDIMM；RDIMM、FBDIMM 待定； 204 針 SODIMM	改進(jìn)的布局、更多的外形和供電設(shè)計(jì)；DDR3 也采用了 fly-by 架構(gòu)
芯片組支持	Legacy	最新的	較新的芯片組功能
附加延遲	是的	是的	具有 CAS 延遲的曲目

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