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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導(dǎo)體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關(guān)。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率，降低了系統(tǒng)的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。

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  Q-Tech太空晶體振蕩器 2020-12-31 15:43:41

  ?Q-Tech是太空晶體振蕩器的世界領(lǐng)先生產(chǎn)商，所有的這些振蕩器都能承擔至少100kRad(Si)TID電磁輻射。Q-Tech的全空間設(shè)計提供了300kRad(Si)TID的最高電磁輻射容限。Q-Tech公司推行了一種多輸出LVDS晶體振蕩器(QT625LW/QT697LW)，Q-Tech在一個單一混合扁平封裝中有2到12個差動輸出對。