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Linear Systems 3N190/3N191單片雙晶P溝道增強型MOSFET

發(fā)布時間：2024-06-05 08:59:39     瀏覽：1256

　　3N190/3N191系列是一款雙P溝道增強型MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管)，這種類型的MOSFET具有兩個P型通道，它們在半導體材料中形成。這些器件是電壓控制的固態(tài)器件，意味著它們的工作狀態(tài)主要由施加在其柵極上的電壓控制。

3N190/3N191單片雙晶P溝道增強型MOSFET

　　這些MOSFET的設計簡單性使其非常適合空間有限的非隔離POL(負載點)電源和低壓驅(qū)動器應用。簡化的柵極驅(qū)動技術不僅有助于簡化設計過程，還能降低總體成本，這對設計者來說是一個顯著的優(yōu)勢。

　　3N190/3N191系列的一個關鍵特性是其非常高的開關頻率，這使得它們非常適合高速負載切換應用，因為它們能夠提供最短的響應時間。這種快速響應能力使得這些MOSFET在需要快速切換的場合中非常有用。

　　這些器件能夠處理比微控制器所能承受的額定值更高的電流和更高電壓負載，這使得它們在數(shù)字控制應用中非常有用。此外，3N190/3N191系列在放大模擬信號方面表現(xiàn)出色，尤其是在音頻應用中。

　　3N190/3N191系列MOSFET在多種應用中具有多種功能，包括用作斬波器或調(diào)節(jié)器。它們是Intersil產(chǎn)品的第二個來源，這意味著它們可以作為替代品用于已經(jīng)使用Intersil產(chǎn)品的系統(tǒng)中。

　　特性方面，3N190/3N191系列具有高輸入阻抗、高柵極擊穿電壓、低電容和高開關頻率。這些特性使得它們在各種應用中都非常有用。

　　好處方面，除了最短的響應時間外，與BJT(雙極結(jié)型晶體管)相比，這些MOSFET在大電流下產(chǎn)生的熱量損失更少，這有助于提高能效。它們還擅長放大模擬信號，并能降低中、低功耗應用的設計復雜性。此外，它們是高側(cè)開關的理想選擇，并且簡化的柵極驅(qū)動技術有助于降低整體成本。

　　應用方面，3N190/3N191系列MOSFET適用于交換應用、放大電路、斬波電路、高頻放大器、穩(wěn)壓電路、逆變器、直流無刷電機驅(qū)動器、直流繼電器和數(shù)字電路等多種場合。

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