JANTX1N6101低電容二極管陣列Microsemi
發(fā)布時間:2024-11-21 09:56:12 瀏覽:1216
1N6101是一款低電容二極管陣列,由多個獨立的隔離結(jié)構(gòu)成,采用平面工藝制造,并封裝在16引腳的DIP(雙列直插式封裝)中。這些二極管用于保護多達八個I/O端口免受ESD(靜電放電)、EFT(電快速瞬變)或浪涌的影響,通過將它們導(dǎo)向電源線的正極或接地。可以在外接TVS(瞬態(tài)電壓抑制)二極管以防止電源線上的過電壓。此外,它們也可用于快速開關(guān)核心驅(qū)動器應(yīng)用,包括計算機和外圍設(shè)備,如磁芯、薄膜存儲器、鍍線存儲器等,以及解碼或編碼應(yīng)用。這些陣列提供了集成電路的許多優(yōu)勢,如高密度封裝和提高的可靠性,這是由于減少的放置操作、更小的占用空間、更輕的重量以及消除了各種可能不利于PCB安裝的離散封裝。
特點:
密封陶瓷封裝
隔離二極管以消除串擾電壓
高擊穿電壓VBR > 75V在5μA時
低漏電流IR < 100nA在40V時
低電容C < 4.0pF
開關(guān)速度小于10納秒
根據(jù)MIL-PRF-19500/474提供JAN、JANTX、JANTXV等篩選選項
應(yīng)用/優(yōu)點:
高頻數(shù)據(jù)線
RS-232和RS-422接口網(wǎng)絡(luò)
以太網(wǎng):10 Base T
計算機I/O端口
局域網(wǎng)(LAN)
開關(guān)核心驅(qū)動器
最大額定值:
反向擊穿電壓:75V
連續(xù)正向電流:300mA直流電
峰值浪涌電流(tp=1/120秒):500mA直流電
每個結(jié)點400mW功率耗散@25°C
每個封裝600mW功率耗散@25°C
工作結(jié)溫范圍:-65°C至+150°C
存儲溫度范圍:-65°C至+200°C
機械和封裝:
16引腳陶瓷DIP
重量:約2.09克
標記:標志、零件編號、日期代碼
引腳#1位于封裝頂部凹槽左側(cè)
電氣特性(每個二極管)@25°C,除非另有說明:
最大正向電壓VF1:100mA時
最大反向電流IR1:40V時
最大反向電流IR2:20V時
最大電容(引腳到引腳)Ct:0V時,1MHz頻率下
最大正向恢復(fù)時間tfr:100mA時
最大反向恢復(fù)時間trr:10mA直流電時,1mA直流電時,RL=100歐姆
Microsemi 是美國高可靠性電子元器件廠商,其軍級二三級管產(chǎn)品,被廣泛應(yīng)用于全球高端市場,深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,授權(quán)代理銷售Microsemi軍級二三級產(chǎn)品,大量原裝現(xiàn)貨,歡迎咨詢。
推薦資訊
Renesas?供應(yīng)差分或單端輸入電阻的射頻放大器,具有多種增益、噪聲因素和線性性能。這款產(chǎn)品選用創(chuàng)新性Zero-Distortion?技術(shù)工藝,可線形低電流損耗的高輸出IP3,明顯強于單增益模塊放大器。
Infineon的P溝道功率MOSFET系列專為中低功率應(yīng)用設(shè)計,具有空穴流載流子、負柵極電壓需求、簡化設(shè)計和廣泛電壓等級等特點,優(yōu)化電路設(shè)計并易于獲取。提供多種封裝類型,廣泛應(yīng)用于電池保護、反極性保護、線性電池充電器、負載開關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和低壓驅(qū)動等領(lǐng)域,包括工業(yè)和汽車應(yīng)用,特別是車規(guī)級產(chǎn)品。
在線留言