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　　Linear Integrated Systems(LIS)推出的LS840, LS841, LS842是一款低噪聲、低漂移、低電容的單片雙N溝道JFET放大器，專(zhuān)為滿(mǎn)足高性能模擬信號(hào)處理的需求而設(shè)計(jì)。這些放大器具有多方面的優(yōu)異電氣特性，適用于各種精密電子應(yīng)用。

　　關(guān)鍵特性：

　　超低噪聲：典型噪聲密度低至8nV/√Hz，適合對(duì)噪聲敏感的應(yīng)用。

　　超低漏電流：典型漏電流僅為10pA，有助于降低功耗和提高信號(hào)完整性。

　　低溫度漂移：最大溫度漂移為5μV/°C，確保在寬溫度范圍內(nèi)的性能穩(wěn)定。

　　低偏移電壓：典型偏移電壓為2mV，有助于提高信號(hào)的精確度。

　　寬溫度工作范圍：存儲(chǔ)溫度范圍為-55°C至+150°C，工作結(jié)溫范圍同樣寬至-55°C至+150°C，適合極端環(huán)境下的應(yīng)用。

　　高可靠性：LIS公司提供超過(guò)三十年的質(zhì)量和創(chuàng)新保證。

　　電氣性能：

　　最大電壓和電流承受能力：VGSS(柵極到源極電壓)可達(dá)60V，IG(f)(柵極正向電流)為10mA。

　　最大功耗：在自由空氣中的總功耗為400mW(環(huán)境溫度TA=+25°C)。

　　高跨導(dǎo)：全導(dǎo)通跨導(dǎo)(Gfs)在1000至4000 μS范圍內(nèi)，典型導(dǎo)通跨導(dǎo)(Gfs)為500至1000 μS(VDG= 20V, ID= 200μA)。

　　高共模抑制比(CMRR)：在VDS= 10到20V, ID=200μA時(shí)，CMRR大于100dB;在VDS= 5到10V, ID=200μA時(shí)，CMRR大于75dB。

　　低噪聲系數(shù)：噪聲系數(shù)(NF)為0.5 dB(VDS= 20V, VGS= 0, f= 100Hz, NBW= 6Hz)，噪聲電壓密度(en)為10至15 nV/Hz(VDS= 20V, ID= 200μA)。

　　封裝選項(xiàng)：

　　提供多種封裝選項(xiàng)，包括TO-71、TO-78、P-DIP和SOIC。

　　應(yīng)用領(lǐng)域：

　　這些JFET放大器適用于音頻放大、精密測(cè)量設(shè)備、傳感器信號(hào)調(diào)理等需要高精度和高可靠性的應(yīng)用。

　　訂購(gòu)信息

　　LS840 TO-71 6L RoHS

　　LS841 TO-71 6L RoHS

　　LS842 TO-71 6L RoHS

　　LS840 TO-78 6L RoHS

　　LS841 TO-78 6L RoHS

　　LS842 TO-78 6L RoHS

　　LS840 PDIP 8L RoHS

　　LS841 PDIP 8L RoHS

　　LS842 PDIP 8L RoHS

　　LS840 SOIC 8L RoHS

　　LS841 SOIC 8L RoHS

　　LS842 SOIC 8L RoHS

　　LS840 Die

　　LS841 Die

　　LS842 Die

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