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 Ampleon CLF24H4LS300P是300W的GaN-SiC HEMT(高電子遷移率晶體管)功率晶體管，優(yōu)化了連續(xù)波(CW)功率和效率，適用于2400 MHz至2500 MHz頻率范圍內(nèi)的烹飪、工業(yè)、科學和醫(yī)療應用。

　　特性和優(yōu)勢

　　高效率：在CW和CW脈沖條件下表現(xiàn)出色。

　　優(yōu)秀的堅固性：在CW和CW脈沖條件下具有出色的堅固性。

　　寬帶操作：設計用于2400 MHz至2500 MHz的寬帶操作。

　　內(nèi)部輸入匹配：無需外部匹配網(wǎng)絡。

　　符合RoHS合規(guī)性：產(chǎn)品符合限制有害物質(zhì)使用的法規(guī)要求。

　　應用

　　RF功率放大器：適用于2400 MHz至2500 MHz頻率范圍內(nèi)的連續(xù)波應用，如商業(yè)和消費烹飪、工業(yè)、科學和醫(yī)療應用。

　　性能參數(shù)

　　RF性能：在VDS = 50V，VGS = -5V，環(huán)境溫度25°C的類AB/類C應用電路中測試。

　　連續(xù)波(CW)：在2400至2500 MHz頻率下，輸出功率為320W，增益為14dB，效率為74%。

　　CW脈沖：在2400至2500 MHz頻率下，輸出功率為350W，增益為14dB，效率為75%。

　　封裝：SOT1214B：無耳法蘭陶瓷封裝，4引腳。

　　限制值

　　VDD：源極電壓操作，52V。

　　VDS：漏極-源極電壓，150V。

　　VGS：柵極-源極電壓，-15V至+2V。

　　IGF：正向柵極電流，43.2 mA。

　　Tstg：存儲溫度，-65°C至+150°C。

　　Tch：活動芯片通道溫度，225°C。

　　熱特性

　　Rth(s-c)(IR)：紅外測量的從活性芯片表面到外殼的熱阻，0.40 K/W。

　　Rth(ch-c)(FEA)：有限元分析的從活性芯片通道到外殼的熱阻，0.58 K/W。

　　電氣特性

　　VGS(th)：柵極-源極閾值電壓，-3.12V至-2.32V。

　　VGSq：柵極-源極靜態(tài)電壓，-3V至-2.2V。

　　ID(leak)：漏極漏電流，7.55 mA。

　　IGSS：柵極漏電流，1.51 mA。

　　IDSX：漏極截止電流，22.4 A。

　　RF特性

　　Gp：功率增益15 dB。

　　RLin：輸入回波損耗-10 dB。

　　ηD：漏極效率70%。

　　測試應用信息

　　測試電路：使用Rogers TC350 PCB，介電常數(shù)3.5，厚度0.508 mm，銅鍍層35 μm。

Ampleon是一家全球領先的射頻和功率半導體解決方案提供商，提供包括射頻功率放大器、收發(fā)器、射頻開關、驅(qū)動電路和功率控制器等在內(nèi)的廣泛產(chǎn)品線，適用于4G LTE、5G NR基礎設施、廣播、工業(yè)等多個領域，深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司優(yōu)勢分銷Ampleon產(chǎn)品線，歡迎咨詢了解。