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　　1.超微型高溫晶體振蕩器(QTCH230、QTCH350、QTCH570)

　　頻率范圍：32.768kHz 至 48MHz。

　　穩(wěn)定性：±150ppm 至 ±250ppm。

　　溫度范圍：-55°C 至 200°C。

　　晶體安裝方式：2 點(diǎn)安裝。

　　篩選標(biāo)準(zhǔn)：可提供 MIL-PRF-55310，B 級(jí)。

　　輸出類型：CMOS。

　　供電電壓：1.8V、2.5V、3.3V、5.0V。

　　封裝尺寸：

　　QTCH230：2.5mm x 3.2mm。

　　QTCH350：3.2mm x 5.0mm。

　　QTCH570：5.0mm x 7.0mm。

　　2.超低電流高溫晶體振蕩器(QT58x / QT59x)

　　頻率：32.768kHz

　　穩(wěn)定性：±150ppm 至 ±250ppm。

　　溫度范圍：-55°C 至 200°C。

　　最大電流：0.7mA。

　　供電電壓：2.5V、3.3V

　　晶體安裝方式：2 點(diǎn)或 4 點(diǎn)安裝。

　　篩選標(biāo)準(zhǔn)：可提供 MIL-PRF-55310，B 級(jí)。

　　輸出類型：CMOS

　　封裝類型：貼片式或通孔式

　　3. 高沖擊高溫晶體振蕩器

　　頻率范圍：1至 100MHz。

　　穩(wěn)定性：±175ppm 至 ±450ppm。

　　溫度范圍：-55°C 至 225°C。

　　抗沖擊性：標(biāo)準(zhǔn) 10,000G(半正弦波，0.1ms)，可選 20,000G。

　　晶體安裝方式：2 點(diǎn)或 4 點(diǎn)安裝。

　　篩選標(biāo)準(zhǔn)：可提供 MIL-PRF-55310，B 級(jí)。

　　輸出類型：CMOS、TTL。

　　供電電壓：1.8V、2.5V、3.3V、5.0V。

　　封裝類型尺寸：貼片式(5x7mm,7x9mm,9x14mm)或通孔式

　　應(yīng)用場(chǎng)景

　　嚴(yán)苛環(huán)境：井下設(shè)備(Downhole)、高溫(最高225°C)、高沖擊(如工業(yè)、航空航天)。

　　低功耗需求：遠(yuǎn)程傳感器或電池供電設(shè)備。

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