Solitron Devices SD11714 1200V SiC N溝道功率MOSFET
發(fā)布時(shí)間:2025-05-29 09:00:32 瀏覽:885
Solitron Devices 公司的 SD11714 1200V SiC N-Channel Power MOSFET ,采用TO-257 3引腳封裝,低導(dǎo)通電阻(RDS(on))和低柵極電荷(QG),具有雪崩能力,氣密封裝,適用于高可靠性應(yīng)用。
主要參數(shù)
漏源電壓(VDS):1200V
連續(xù)漏極電流(ID):25°C時(shí)為17A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)):25°C時(shí)為160mΩ
柵極閾值電壓(VGS(th)):1.8V~3.6V
最大功耗(PD):97W
工作溫度(TJ):-55°C~+175°C
體二極管特性
正向電壓(VSD):4.25V
反向恢復(fù)時(shí)間(trr):34ns
反向恢復(fù)電荷(Qrr):197nC
應(yīng)用領(lǐng)域
開(kāi)關(guān)電源
DC-DC轉(zhuǎn)換器
PFC電路
電機(jī)驅(qū)動(dòng)
機(jī)器人控制
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Microsemi 1N4148UB是符合MIL-PRF-19500/116標(biāo)準(zhǔn)的軍用級(jí)開(kāi)關(guān)/信號(hào)二極管,采用陶瓷體結(jié)構(gòu)、表面貼裝UB封裝,具有低電容、開(kāi)關(guān)速度快等特性,提供多種極性且有JAN、JANTX和JANTXV級(jí)別認(rèn)證并符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);適用于高頻數(shù)據(jù)線、RS-232和RS-422接口網(wǎng)絡(luò)等多種應(yīng)用;有明確的最大額定值(如結(jié)點(diǎn)和存儲(chǔ)溫度-65至+200°C等)和電氣特性(如正向電壓、反向恢復(fù)時(shí)間等);機(jī)械方面外殼為陶瓷,端子為鎳底層上的金鍍層,重量小于0.04克。
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