磁控濺射法制備ZnO薄膜.pdf

1、本文采用射頻磁控濺射法在載玻片玻璃基片上制備了Li：ZnO薄膜，研究了磁控濺射功率、基片溫度、熱處理溫度、過(guò)渡層種類(lèi)及厚度等工藝參數(shù)對(duì)ZnO薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響，運(yùn)用XRD、AFM、SEM、EDS、PL、光學(xué)透過(guò)率等測(cè)試手段對(duì)樣品進(jìn)行了分析，結(jié)果表明：在無(wú)基片加熱的情況下，高濺射功率(550W)制備的薄膜呈現(xiàn)較好的(100)擇優(yōu)取向性，其定向指數(shù)達(dá)到0.752，而在較低的功率(200～380W)下濺射薄膜為(101)取向，定向指數(shù)達(dá)0.

2、799；在基片加熱至250℃，濺射功率200W時(shí)，制備的ZnO薄膜則表現(xiàn)為(002)擇優(yōu)取向性，定向指數(shù)為0.742。對(duì)三種擇優(yōu)取向薄膜的晶格常數(shù)的測(cè)試結(jié)果表明，(002)取向的晶胞較小，而(101)取向的薄膜晶胞最大，這主要是因?yàn)楸∧さ膿駜?yōu)生長(zhǎng)方向主要取決于生長(zhǎng)過(guò)程中原子的堆積方式的不同，從而導(dǎo)致材料中的各種缺陷的變化。(100)取向薄膜的PL譜以Li的雜質(zhì)能級(jí)峰(399nm)為主，(002)取向的薄膜以Zni缺陷的能級(jí)峰(420nm