鐵電極電絮凝處理含As(Ⅲ)廢水特性研究.pdf

1、本論文采用自制的電絮凝裝置處理含As（III)廢水，分別研究了各影響因素對(duì)As(I II)去除效果的影響及其吸附動(dòng)力學(xué)；進(jìn)一步考察了共存陰離子對(duì)As（III)去除效果的影響及其機(jī)制。在此基礎(chǔ)上，探討了電絮凝方法去除As（III)的機(jī)理。具體研究?jī)?nèi)容和結(jié)論如下：
　　考察了電流密度、電荷密度、pH、As(II I)初始濃度對(duì)As（III)去除效果的影響，結(jié)果表明：電流密度、電荷密度、pH、As(II I)初始濃度是影響As（III)

2、去除的重要因素。在電流密度為4.20~44.66 mA/cm2范圍內(nèi)，電絮凝處理As(III)其最高去除率可達(dá)到99.75％，在電流密度達(dá)到17.87 mA/cm2以上，電流密度對(duì)As(Ⅲ)去除率的影響趨于穩(wěn)定。與電流密度相比，電荷密度作為電絮凝的條件參數(shù)可能更科學(xué)。在pH為5~9時(shí)，pH值越高，除砷效果越好。在As(Ⅲ)初始濃度為5~20 mg/L范圍內(nèi)，隨著As(Ⅲ)初始濃度的增加，電絮凝對(duì)As(Ⅲ)的去除效果下降，電絮凝處理后廢水

3、中As(I II)最低濃度可降至0.03 mg/L。
　　考察了共存陰離子對(duì)As（III)去除的影響，研究發(fā)現(xiàn)氟離子、磷酸根、硅酸根離子在濃度為0到20 mg/L范圍內(nèi)對(duì)As(I II)去除存在抑制作用，抑制機(jī)理為競(jìng)爭(zhēng)性吸附，而硫酸根基本沒(méi)有影響。氟離子對(duì)電絮凝過(guò)程去除廢水中As(Ⅲ)抑制作用顯著，且氟離子濃度越大，抑制作用越明顯，但其并不影響溶液中總鐵和亞鐵的生成。磷酸根離子濃度與砷去除率呈負(fù)相關(guān)，且磷酸根離子濃度越大，As(Ⅲ

4、)去除率越低。硅酸根離子在pH為7時(shí)，存在著少量硅酸鹽，其與鐵氧化物的結(jié)合，占據(jù)了As(II I)的結(jié)合位點(diǎn)從而影響了電絮凝對(duì)As（III)的去除，但是幾乎所有的硅酸鹽都以不帶電荷的H2SiO3（＞99.8%）的形式存在，很難通過(guò)電性中和作用吸附在鐵氧化物的表面上，因而硅酸根離子對(duì)As(Ⅲ)的去除僅表現(xiàn)為微弱的抑制作用。
　　電絮凝處理含As(I II)廢水過(guò)程符合擬一級(jí)動(dòng)力學(xué)，擬合程度較好。運(yùn)用法拉第定律和溶液中總鐵、亞鐵的測(cè)定