選擇性注意和工作記憶負(fù)荷對(duì)沖突加工影響的事件相關(guān)電位研究.pdf

1、目的：通過(guò)視覺(jué)事件相關(guān)電位技術(shù)，研究選擇性注意和工作記憶負(fù)荷與沖突系統(tǒng)之間的相關(guān)性，并探討沖突加工的機(jī)制。
　　方法：采用S1-S2模式和跨通道模式，選取24名正常視功能被試者進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，視覺(jué)刺激中含有三種不同大小的圖片，對(duì)應(yīng)三種記憶的負(fù)荷。根據(jù)實(shí)驗(yàn)要求的不同將被試者分為視覺(jué)注意和視覺(jué)非注意兩組，并分別同時(shí)記錄其ERP結(jié)果。
　　結(jié)果：（1）N1時(shí)間窗內(nèi)主要有頭皮后部-顳枕區(qū)的激活，N1的潛伏期在不同注意條件和工作記憶負(fù)荷下均

2、無(wú)統(tǒng)計(jì)學(xué)差異。
　?。?）N1成分在視覺(jué)非注意條件下，三種工作記憶負(fù)荷水平的沖突狀態(tài)與匹配狀態(tài)在160-240ms范圍內(nèi)均未發(fā)現(xiàn)統(tǒng)計(jì)學(xué)差異。
　?。?）視覺(jué)注意條件下，三種工作記憶負(fù)荷水平的沖突狀態(tài)在160-204ms內(nèi)引起了N1d（沖突狀態(tài)減去匹配狀態(tài)）成分。且高度記憶負(fù)荷下N1d的平均振幅低于低度記憶負(fù)荷和中度記憶負(fù)荷（p<0.05），而中度與低度記憶負(fù)荷振幅卻沒(méi)有呈現(xiàn)出差異。
　　（4）不同注意條件和工作記憶負(fù)荷

3、下的N270激活區(qū)域位于前額和中央?yún)^(qū)，在不同注意條件下分布不同。視覺(jué)注意組：低度記憶負(fù)荷（F3、F4、C3電極），中度記憶負(fù)荷（F3、C4電極）；視覺(jué)非注意組：低度記憶負(fù)荷（F3、F4電極），中度記憶負(fù)荷（F3電極）。
　?。?）比較N270（沖突狀態(tài)減去匹配狀態(tài)）發(fā)現(xiàn)，高度記憶負(fù)荷下N270的平均振幅低于低度記憶負(fù)荷和中度記憶負(fù)荷（p<0.05），統(tǒng)計(jì)學(xué)上中度與低度記憶負(fù)荷的振幅無(wú)差異。
　　（6）視覺(jué)注意組和視覺(jué)非注意組