扇面不均勻污穢下絕緣子串直流閃絡(luò)特性研究.pdf

1、絕緣子的不均勻積污在輸電線路運(yùn)行中是一種常見(jiàn)的現(xiàn)象,也是導(dǎo)致污閃事故的原因之一,國(guó)內(nèi)外對(duì)此做了大量的研究。但是,關(guān)于不均勻污穢的研究多針對(duì)于污穢沿上下表面和絕緣子串的不均勻分布,而對(duì)于污穢沿絕緣子迎風(fēng)側(cè)和背風(fēng)側(cè)的扇面不均勻分布的研究則較少。
　　本文在總結(jié)國(guó)內(nèi)外現(xiàn)有成果的基礎(chǔ)上,選擇了4種典型的瓷和玻璃絕緣子作為試品,在重慶大學(xué)輸配電裝備及系統(tǒng)安全與新技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室人工霧室里開(kāi)展了扇面不均勻污穢下絕緣子串的直流污閃試驗(yàn),論文的

2、主要工作及結(jié)論如下:
　?、僖?XP-70,XWP2-70,LXY-70和 LXY4-160絕緣子為試品,并以絕緣子迎、背風(fēng)面的平均鹽密(SDD)為基準(zhǔn),試驗(yàn)研究了絕緣子串在污穢扇面不均勻分布情況下的直流閃絡(luò)特性。結(jié)果表明,不均勻污穢對(duì)絕緣子污穢影響特征指數(shù)影響不明顯;絕緣子串直流污閃電壓受迎背風(fēng)面污穢不均勻度Y/B和背風(fēng)面面積比例K的影響明顯,即污閃電壓隨Y/B和K的增大而減小,且Y/B對(duì)污閃電壓的影響要大于K。
　　②根

3、據(jù)直流污閃試驗(yàn)的結(jié)果,分析了絕緣子結(jié)構(gòu)型式和扇面不均勻污穢對(duì)絕緣子有效爬電系數(shù)的影響。結(jié)果表明,均勻污穢下,不同型式絕緣子的有效爬電系數(shù)k因絕緣子材質(zhì)結(jié)構(gòu)等不同而有所差異;輕污穢下,k隨Y/B的增大先增大后減小,k隨K值的增大而增大;重污穢下,k隨Y/B的增大而減小,k隨K值的增大而減小。
　?、垡?XP-70絕緣子為試品,測(cè)量了泄漏電流,分析了扇面不均勻污穢對(duì)其臨界閃絡(luò)電流Icr的影響。結(jié)果表明,直流下絕緣子串的Icr隨鹽密的增

4、大而增大,且扇面不均勻污穢越嚴(yán)重(Y/B、K值越大),鹽密對(duì)Icr的影響越小;迎背風(fēng)面污穢不均勻度Y/B和背風(fēng)面面積比例K都對(duì)Icr有影響,且Y/B越大,Icr越大。
　?、軐?duì)4種試品絕緣子的直流污閃過(guò)程進(jìn)行了拍攝,并提出扇面不均勻污穢下絕緣子直流閃絡(luò)放電分為電暈放電、細(xì)絲狀局部小電弧形成、局部大電弧形成以及局部電弧發(fā)展至完全閃絡(luò)四個(gè)階段;扇面不均勻污穢越嚴(yán)重,飄弧現(xiàn)象越明顯,故而污閃電壓越低。
　?、菀訪XY4-160絕緣