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文檔簡介
1、高功率微波作為強(qiáng)電磁脈沖的一種重要形式,具有高頻率、短脈沖(幾十納秒)和高功率等特點(diǎn),對電子元器件和電子系統(tǒng)可造成暫時(shí)性或永久性的損傷。高電子遷移率晶體管(HEMT)作為新一代微波毫米波器件,在集成電路應(yīng)用中極易受到高功率微波輻射而引起損傷,甚至導(dǎo)致電路失效,所以有必要從理論上研究高功率微波對HEMT器件的損傷效應(yīng)和損傷物理機(jī)制。
本文采用器件仿真軟件ISE-TCAD建立了GaAs HEMT的二維仿真模型,研究了器件在HPM下
2、的損傷效應(yīng)。仿真結(jié)果表明,在柵極注入高功率微波耦合電壓,器件的損傷部位在柵極靠近源極的器件表層。對于具有不同參數(shù)的電壓信號(hào),研究了器件燒毀時(shí)間與其耦合電壓幅值和初始相位之間的關(guān)系。結(jié)果表明器件在信號(hào)正半周溫度升高速度更快,更容易發(fā)生毀傷。通過有限元分析軟件ANSYS研究了器件在穩(wěn)態(tài)溫度分布下的熱應(yīng)力分布情況,結(jié)果表明熱應(yīng)力會(huì)引起溝道層變形。HEMT器件應(yīng)用在低噪聲放大器中,受到高功率微波干擾時(shí),電路的增益下降、噪聲系數(shù)變大,電路性能下降
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