臭氧氧化法制造抗PID效應(yīng)的單晶硅太陽電池.pdf

1、單晶硅太陽能電池轉(zhuǎn)化效率高（實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)換效率達(dá)到25.6％，產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)的平均效率為19.5％），生產(chǎn)技術(shù)成熟，一直以來都是光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重點(diǎn)。本文主要是在常規(guī)單晶硅太陽電池生產(chǎn)中，引入O3氧化技術(shù)，在電池片表面生成SiO2-SiNx鈍化減反射膜結(jié)構(gòu)，生產(chǎn)具備抗電勢誘導(dǎo)衰減效應(yīng)(PID，PotentialInduced Degradation)能力的單晶硅太陽電池片的工藝方法，研究了所生成的鈍化減反射膜的微觀結(jié)構(gòu)、以及薄膜的光學(xué)性能和生產(chǎn)出

2、的電池片的電性能。
　　用臭氧對(duì)濕法刻蝕后的硅片上表面氧化10s，在硅片上表面生成一層納米級(jí)的SiO2薄膜。結(jié)果表明，當(dāng)臭氧濃度≥1200ppm時(shí)，親水性測試結(jié)果符合抗PID的工藝標(biāo)準(zhǔn)要求，生成的SiO2薄膜厚度約為10 nm。對(duì)臭氧氧化過的硅片，采用等離子體增強(qiáng)氣相沉積法(PECVD)，在460℃的溫度條件下，通過控制NH3和SiH4的流量比和淀積時(shí)間，在其表面生成雙層致密程度不同的氮化硅減反射薄膜。經(jīng)測試結(jié)果表明，含Si多的氮