聲表面波器件微制造技術研究.pdf

1、近年來，隨著MEMS技術和半導體技術的進步，電子器件正向著高集成度、低功耗和高速度方面發(fā)展。聲表面波器件(Surface acoustic wave，SAW)所使用的材料對器件的性能起著決定性的作用，本文對器件的材料石英和LiNbO3分別和Si進行了鍵合技術研究，為了制作器件對鍵合片進行了減薄拋光，設計了簡單的器件并用COMSOL和MATLAB對器件的性能進行了仿真、后續(xù)研究了器件的光刻技術。從本文的研究內容得到以下結論:
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2、通過選擇一定波段的紫外固化膠，并在300-436nm曝光波長的曝光機下曝光，制得了8mm×8mm鍵合片。分別實現了LiNbO3以及石英和硅片的鍵合，用剪切力測試機測得最大鍵剪切力分別為116.2N和117.9N。用裂紋傳播測試法測試LiNbO3鍵合片的鍵合能為5.831 J/m2。鍵合片的中間鍵合層厚度為約3μm。
　　②在聲表面波器件的設計中，根據δ函數模型的理論分析結合本實驗對叉指換能器的參數進行了設計，設計出線寬2.495μ

3、m的延遲器和線寬2μm的諧振器，后根據設計的結果用L-edit畫出版圖，制得本實驗所需要的掩膜板。
　?、塾糜邢拊抡孳浖﨏OMSOL對設計的器件進行建立模型，分析了器件的波傳播特性。在MATLAB上以LiNbO3為基底，用P矩陣和COM耦合模型對聲表面波諧振器電學諧振特性的插入損耗和諧振導納進行了仿真研究。
　?、苡迷O計制得的掩膜板做掩膜，在制得的鍵合片上經過涂膠、前烘、曝光、顯影四個部分制得了光刻形貌較好的樣品。經過試驗