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文檔簡介
1、本文主要研究采用高溫AlN緩沖層外延生長GaN/Si(111)材料的工藝技術(shù)。利用高分辨X射線雙晶衍射(HRXRD)分析研究了GaN/Si(111)樣品外延層的應(yīng)變狀態(tài)和晶體質(zhì)量，通過原子力顯微鏡(AFM)分析研究了不同厚度的高溫AlN緩沖層對GaN外延層的表面形貌的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，AlN緩沖層生長前預(yù)通TMAl的時(shí)間、AlN緩沖層的厚度對GaN外延層的應(yīng)變狀態(tài)、外延層的晶體質(zhì)量以及表面形貌都有顯著影響。得到最優(yōu)的預(yù)鋪Al時(shí)間為10
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