帶通sigmA-delta調(diào)制器的研究與設(shè)計(jì).pdf

1、微電子領(lǐng)域廣泛而深入的研究不斷推動(dòng)射頻接收機(jī)向單片集成的方向發(fā)展。最終的目標(biāo)是使其變成尺寸小，成本低，功耗低的通信設(shè)備，然而單片實(shí)現(xiàn)的目標(biāo)導(dǎo)致了零中頻結(jié)構(gòu)和其它結(jié)構(gòu)的產(chǎn)生，但是許多問(wèn)題又限制了它們的應(yīng)用，從而使人們轉(zhuǎn)向了能用較多數(shù)字電路實(shí)現(xiàn)的數(shù)字中頻結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵模塊就是帶通sigma-delta調(diào)制器，本文從調(diào)制器的基本理論出發(fā)，系統(tǒng)地研究了帶通調(diào)制器的設(shè)計(jì)方法。包括:結(jié)構(gòu)、諧振器和電路模塊。同時(shí)設(shè)計(jì)一種低電壓、低功耗帶通sig

2、ma-delta調(diào)制器。本文基于0.18μmCMOS工藝對(duì)一種四階帶通sigma-Delta調(diào)制器進(jìn)行了分析與設(shè)計(jì)。
　　作為帶通sigma-delta調(diào)制器的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)，詳細(xì)闡述了NyquistADC、過(guò)采樣ADC和sigma-delta調(diào)制器的工作原理及量化噪聲特性;在了解低通sigma-delta調(diào)制器的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步研究了帶通sigma-delta調(diào)制器設(shè)計(jì)方法;具體工作如下:
　　首先，本文介紹了帶通sigma-de

3、lta調(diào)制器的原理和結(jié)構(gòu)，確定了設(shè)計(jì)方案，即:一位四階單環(huán)雙路反饋結(jié)構(gòu)，并在MATLAB/SIMULINK環(huán)境下對(duì)該方案進(jìn)行了行為級(jí)驗(yàn)證。仿真結(jié)果表明:峰值信噪比可以達(dá)到91.5dB時(shí)，能夠滿足設(shè)計(jì)要求。同時(shí)給出了基于此電路系統(tǒng)的關(guān)鍵模塊的性能指標(biāo)，為設(shè)計(jì)后期電路提供了依據(jù)。
　　其次，根據(jù)行為級(jí)建模提供的參數(shù)，在virtuoso平臺(tái)上設(shè)計(jì)了四階帶通sigma-delta調(diào)制器，包括運(yùn)算放大器、雙延遲型諧振器、一位量化器，一位延遲