已閱讀1頁，還剩123頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀
版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權，請進行舉報或認領
文檔簡介
1、極紫外投影光刻(EUVL，ExtremeUltravioletLithography)技術作為下一代光刻技術中最佳候選技術，建立于可見/紫外光學光刻的諸多關鍵單元技術基礎之上，工作波長為11～14nm，適用于制造特征尺寸為65～35nm的數(shù)代超大規(guī)模集成電路，預計在2006年將成為主流光刻技術。應用光學國家重點實驗室自上世紀90年代初起一直關注著國際上的EUVL研究進展。出于進行EUVL原理及相關技術研究的目的，筆者采用微縮投影的計算機
2、輔助裝調(diào)技術研制了國內(nèi)第一套由激光等離子體光源、掠入射橢球激光鏡、透射掩模、微縮投影物鏡及相應真空系統(tǒng)組成的EUVL原理裝置。EUVL微縮投影物鏡為了同時實現(xiàn)大的曝光視場和0.1μm以下的成像分辨率，微縮投影光學系統(tǒng)需采用面形精度達亞納米量級的非球面，但我們現(xiàn)階段的光學加工和檢測技術距此要求尚有一定的差距。作為研究的第一步，出于進行EUVL原理及系統(tǒng)設計、光學元件的制備、系統(tǒng)集成、掩模曝光實驗等相關技術研究目的，采用球面Schwarzs
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權或不適當內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 極紫外投影光刻掩模若干問題研究.pdf
- 紫外LED光纖光刻系統(tǒng)關鍵技術研究.pdf
- 基于多波長迭代算法的極紫外光刻掩模檢測關鍵技術研究.pdf
- 亞微米投影光刻物鏡制作的幾項關鍵技術研究.pdf
- 紫外極超快脈沖產(chǎn)生中的關鍵技術研究.pdf
- 極紫外光刻投影光學系統(tǒng)優(yōu)化設計.pdf
- 多投影顯示系統(tǒng)中若干關鍵技術的研究.pdf
- 激光刻尺機關鍵技術研究.pdf
- WebGIS中若干關鍵技術研究.pdf
- 序列密碼中若干關鍵技術研究.pdf
- 知識融合中若干關鍵技術研究.pdf
- 取向硅鋼激光刻痕關鍵技術研究.pdf
- HEVC若干關鍵技術研究.pdf
- ETL若干關鍵技術研究.pdf
- 雙目光柵投影關鍵技術研究.pdf
- 增強現(xiàn)實中若干關鍵技術研究.pdf
- 數(shù)字光柵投影測量關鍵技術研究.pdf
- 協(xié)同裝配中的若干關鍵技術研究.pdf
- 中文TTS系統(tǒng)中若干關鍵技術研究.pdf
- 曲面激光直寫中若干關鍵技術研究.pdf
評論
0/150
提交評論