富硅二氧化硅薄膜的光致熒光特性研究.pdf

1、山東師范大學碩士學位論文富硅二氧化硅薄膜的光致熒光特性研究姓名：肖淑娟申請學位級別：碩士專業(yè)：微電子學與固體電子學指導教師：薛成山2001.4.29詳細內(nèi)容摘要模型是指對于氧化多 孔硅，電 子一 空穴對的光激發(fā)發(fā)生在納米硅晶粒和氧化硅中，光激發(fā)出的電 子和空穴轉(zhuǎn)移到二氧化硅層中及硅與二 氧化硅界面上的 發(fā)光中 心 ( 如缺陷、 雜質(zhì)等) 上復 合而 發(fā)光。為了能夠制備出 具有高質(zhì)量的硅納米相材料，國內(nèi) 外許多 研究者已 嘗試了多種生長方

2、法，如①化學氣相淀積法， ②射頻濺射 法 ③ 硅 離 子 注 入 、 i o , 法 等 。 戶一 -第二章介紹我們制備富硅二氧化硅所用的 濺射系統(tǒng)、 濺射靶 的 設 計 · 樣 品 制 備 過 程 以 及 組 成 結(jié) 構(gòu) 和 熒 光 特 性 的 測 量 · 今 們 采用配有 S Y 型 5 0 0 W 射頻電 源的J C K - 5 0 0 W 型磁控濺射儀來制備 S in c / S i 0 z 薄膜。 靶材采

3、用 S i / S i o , 復 合靶。 濺射時， 使載有襯底的基片 架轉(zhuǎn)動。 結(jié) 構(gòu) 特性 采用X 射線 衍射儀 ( X R D ) 和 工 R 透射譜 測 量 。 用 9 6 0 C R T 熒 光 分 光 光 度 計 測 樣 品 的 發(fā) 光 譜 扮 ‘第三章給出了 我們的實驗結(jié)果及其分析情況。 用 I R透射譜分析樣品 成分的 相 關信息。 T , < 1 0 0 0 ℃ 時， 顯示了 S i - O - S i 鍵的 伸

4、展模式的兩個特征吸收峰。 薄膜樣品結(jié)構(gòu)模型為 R M M 和 R B M 兩 種 極 端 情 形 的 混 合 態(tài) 。 瘴 溫 退 火 后 S i - O - S i 鍵 的 伸 展 振 動 模 式吸收峰藍移，實際上表明了: 溫升引 起了系統(tǒng)轉(zhuǎn)變， 熱力作用使本來分布均勻的S i 0 二 相長成n c - S i / S i O Z 棍合相， 其化學反 應表 示為 : S i - S i , 0 4 _ , “ 專 S i - S i ,