相變存儲器磨損機制的設(shè)計與實現(xiàn).pdf

1、相變存儲器由于具有非易失性、功耗低、讀取快、存儲密度高等優(yōu)點，被認(rèn)為有可能取代目前的閃存和動態(tài)隨機存取存儲器而成為固態(tài)半導(dǎo)體存儲器的主流產(chǎn)品。然而，相變存儲器的耐久性只有107~8次，高性能使得磨損的速度更快，成為其實際應(yīng)用的一個重要制約因素。因此在使用相變存儲器構(gòu)建存儲系統(tǒng)的同時，必須在算法設(shè)計方面盡可能減少磨損，實現(xiàn)均衡，延長整體使用壽命。
　　針對這一問題，在分析相變存儲技術(shù)的存儲機理及其主要特點之上，提出了三種不同級別的磨

2、損均衡算法，減少大量的不必要寫入操作以及盡可能將寫操作均勻分布到每個單元上。在位級別上，設(shè)計讀后更新機制，采用先讀后寫的策略，將預(yù)寫入的數(shù)據(jù)和讀出的數(shù)據(jù)做異或操作，只寫入有變化的數(shù)據(jù)位；在行級別上，采取行間輪轉(zhuǎn)的策略，在保證其讀寫性能的基礎(chǔ)之上，有效地將寫操作均衡到每一個行上；在塊級別上，采用動態(tài)可伸縮映射表的策略，在保證整體均衡的基礎(chǔ)之上，有效提高了相變存儲器的性能。
　　在位級別上的優(yōu)化，可以有效減少30％的寫操作；在行級別上