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1、該文的研究內(nèi)容分兩大部分:第一部分研究了一種新型的薄膜制備技術(shù),即雙放電腔微波-ECR等離子體增強非平衡磁控濺射;第二部分為利用該技術(shù)制備CNx薄膜的研究.用微波-ECR等離子體增強非平衡磁控濺射技術(shù)進行的CN<,X>薄膜的制備研究,發(fā)現(xiàn)在最佳沉積工藝時,所制備的CN<,X>薄膜的化學(xué)配比接近C<,3>N<,4>,薄膜中SP<'3> C-N鍵所占比例約為92.7﹪,硬度最高達42GPa.用OES對沉積過程的診斷發(fā)現(xiàn)CNx薄膜的生長因子為
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