2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、相變存儲器(Phase Change Memory,PCM)利用的是材料晶態(tài)時低阻與非晶態(tài)的高阻特性來實現(xiàn)邏輯存儲的一種技術(shù),是最有可能在45nm以下技術(shù)代取代SRAM、DRAM和Flash等當(dāng)今主流產(chǎn)品而成為未來商用主流非易失存儲器件,必將在未來的存儲器市場占有相當(dāng)重要的地位。然而,相變存儲器的擦寫功耗、復(fù)位電壓、熱穩(wěn)定性和擦寫壽命一直是相變存儲器發(fā)展的幾個瓶頸。 本論文的工作是在前人的研究基礎(chǔ)上,提出一種能夠應(yīng)用于嵌入式存儲

2、器的新型相變材料Ga3Sb8Te1,然后設(shè)計了一種基于Ga3Sb8Te1具有更低功耗,高穩(wěn)定性和更高擦寫頻率的相變存儲器器件原型,并且根據(jù)器件原型建立仿真模型,對基于Ga3Sb8Te1的新型相變存儲器進行性能評估并與基于傳統(tǒng)GST材料(如Ge2Sb2Te5)的相變存儲器進行對比。仿真結(jié)果發(fā)現(xiàn): 1.由于基于Ga3Sb8Te1 薄膜材料的PCM由于具有較大的TX/Tm,可有效降低多次復(fù)位過程由熱擴散所引起的結(jié)晶,進而提高器件可重復(fù)

3、擦寫次數(shù),即器件存儲可靠性;該相變存儲器隨著特征尺寸的縮小復(fù)位電流和功耗會持續(xù)下降,其中小電極的持續(xù)減小可以實現(xiàn)大幅度降低相變操作電流的目的; 2.當(dāng)電極特征尺寸在90nm時,基于Ga3Sb8Te1的相變存儲器相變中心的復(fù)位電流約為1mA,而基于傳統(tǒng)GST材料Ge2Sb2Te5相變存儲器為1.5m A以上;當(dāng)電極特征尺寸在65nm時,基于Ga3Sb8Te1的相變存儲器相變中心的復(fù)位電流約為0.6mA,而基于傳統(tǒng)GST材料相變存儲

4、器為1m A左右;在工藝節(jié)點降至45nm時,基于Ga3Sb8Te1的相變存儲器相變中心的電流將低于0.5mA。由此可見,基于Ga3Sb8Te1的并且比基于傳統(tǒng)GST材料相變存儲器具有更低的功耗。 3.基于Ga3Sb8Te1存儲單元的擦寫頻率分別約為100MHz和14MHz,其中置位(寫入)頻率約為比傳統(tǒng)GST材料提高了14.3%;該存儲器的在不同物質(zhì)相的狀態(tài)下的電阻比值約500倍,具有穩(wěn)定的邏輯狀態(tài)。 4.Ga3Sb8T

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