GaN基日盲型紫外光電探測器.pdf

1、長波截止波長小于280nm的GaN基同盲型光電探測器在生化檢測、余焰探測、空間光通訊等軍用和民用領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用潛力，近年來得到了廣泛的關(guān)注，進(jìn)行了大量的深入研究。本文介紹了我們在這方面所做的研究工作，著重說明了對實(shí)現(xiàn)日盲探測具有重要意義的 GaN 材料的外延生長及摻雜、感應(yīng)耦合等離子體刻蝕(ICP)和 GaN 歐姆接觸的制作這三個方面的實(shí)驗(yàn)研究工作情況。 對于 GaN 基日盲型光電探測器這樣的新材料、新器件課題而言，器件的制

2、作工藝水平是決定器件性能的一個重要方面，而器件的設(shè)計(jì)技術(shù)水平和晶體生長質(zhì)量是獲得高性能器件的決定性因素。文章首先會介紹 GaN 基同盲型紫外探測器研究的概況，接下來簡要分析了本課題采用的探測器的基本結(jié)構(gòu)——“倒裝異質(zhì)結(jié)光電二極管”(IHP) p-i-n 型結(jié)構(gòu)的工作原理和特點(diǎn)。文章的第三章介紹了有機(jī)金屬化學(xué)汽相淀積(MOCVD)外延生長 GaN材料工藝，以及通過漸變δ-Mg 摻雜獲得高濃度 p 型摻雜的實(shí)驗(yàn)研究。緊接著的兩章，對 GaN