AlGaN-GaN HEMT器件建模及功率合成研究.pdf

1、GaN是近年來迅速發(fā)展起來的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，AlGaN/GaN HEMT在高溫、大功率、高頻、抗輻射等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。準(zhǔn)確的器件建模對(duì)提高RF和微波電路設(shè)計(jì)的成功率、縮短電路研制周期是非常重要的。本論文建立了AlGaN/GaN HEMT器件的等效電路模型，并以建立的模型為基礎(chǔ)，設(shè)計(jì)了AlGaN/GaN HEMT微波功率合成電路。
　　首先，本文基于傳統(tǒng)HEMT小信號(hào)模型，提出了適合AlGaN/GaN HEMT的

2、小信號(hào)等效電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和精確的小信號(hào)模型參數(shù)提取方法。建立的小信號(hào)等效電路模型具有比較簡單、精確和寬帶(0-10GHz)等特性，為大信號(hào)分析提供必要的數(shù)據(jù)支持。
　　然后，從幾種常見的HEMT器件大信號(hào)直流I-V特性模型出發(fā)，針對(duì)GaN HEMT器件較為顯著的自熱效應(yīng)，本文以Curtice立方大信號(hào)模型為基礎(chǔ)，通過修改其大信號(hào)等效電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，增加表征器件自熱效應(yīng)的熱電路；并改進(jìn)模型中I-V特性表達(dá)式，引入器件溫度對(duì)輸出特性的影響