纖鋅礦InxGa1-xN-GaN量子阱中界面聲子對(duì)極化子能量的影響.pdf

1、學(xué)校代碼：10135論文分類號(hào)：0469學(xué)號(hào)：20094014010研究生類別：全日制幽黝每尹籍犬乎碩士學(xué)位論文纖鋅礦In。Ga，一xN／GaN量子阱中界面聲子對(duì)極化子能量的一影響’TheEffectofInterfaceOpticalphononModestoPolaronEnergyinWurtziteInxGalxN／GaNQuantum、№ll學(xué)科門類：一級(jí)學(xué)科：學(xué)科、專業(yè)：研究方向：申請(qǐng)人姓名：指導(dǎo)教師姓名：理學(xué)物理學(xué)凝聚態(tài)物

2、理凝聚態(tài)理論蘇B古嘎趙鳳岐O一二年六月六日內(nèi)蒙古師范大學(xué)碩士學(xué)位論文中文摘要采用Lee—Low—Pines(LLP)變分法，研究了纖鋅礦In。Ga。一，N／GaN(GaN／Al。Gat—xN)量子阱中極化子基態(tài)能量，第一激發(fā)態(tài)能量，躍遷能量(第一激發(fā)態(tài)到基態(tài))，以及電子一聲子相互作用對(duì)極化子基態(tài)能量的貢獻(xiàn)隨著阱寬d和阱深(組分x)的變化關(guān)系在計(jì)算中我們考慮了定域光學(xué)聲子模和界面光學(xué)聲子模，并計(jì)入他們的各向異性為了進(jìn)行比較，我們還計(jì)算了閃

3、鋅礦In。GahN／GaN(GaN／A1，GahN)量子阱中的相應(yīng)能量計(jì)算結(jié)果表明，In∽Gan，N／GaN和GaN／A1。。Gao，N量子阱中極化子的基態(tài)能量，第一激發(fā)態(tài)能量，躍遷能量隨著量子阱阱寬(d)的增大而減小，最后趨近于體材料In。：，G孫，N和GaN的三維值纖鋅礦量子阱中極化子能量和躍遷能量小于閃鋅礦量子阱中極化子的相應(yīng)能量，而纖鋅礦量子阱中電子一聲子相互作用對(duì)極化子能量的貢獻(xiàn)大于閃鋅礦量子阱中相應(yīng)值比如，d=20nm時(shí)，纖

4、鋅礦In。。Gao7N／GaN和CaN／A1。。Gao，N量子阱中這貢獻(xiàn)約為35meV和40meV，而閃鋅礦In蚴Gao，N／GaN和GaN／A1。。Gao7N量子阱中這貢獻(xiàn)約為30meV和35meV對(duì)于不同的聲子模來(lái)說(shuō)，當(dāng)阱寬d非常小時(shí)，界面聲子對(duì)基態(tài)能量的貢獻(xiàn)遠(yuǎn)大于定域聲子對(duì)基態(tài)能量的貢獻(xiàn)，隨著阱寬的增大，界面聲子模的貢獻(xiàn)急劇減小，最后接近0而定域聲子模的貢獻(xiàn)隨著阱寬的增大急劇增大，到某一寬度時(shí)它的貢獻(xiàn)大于界面聲子模的貢獻(xiàn)，最后趨近