中頻磁控濺射制備a-Si薄膜與SiN薄膜的工藝研究及表征.pdf

1、隨著近幾年光伏產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，如何增加太陽電池生產(chǎn)的安全性和減少太陽電池生產(chǎn)過程中的污染和耗能逐漸成為人們研究的課題之一。本文使用相對于PECVD和射頻磁控濺射法更加安全、廉價的中頻磁控濺射法制備a-Si薄膜和SiN薄膜。在制備SiN實驗中使用N2、NH3兩種不同的反應(yīng)氣體。本文采用正交試驗法這種高效、簡單的科學(xué)實驗方法進(jìn)行實驗，使用n&k薄膜測試儀、XPS、拉曼光譜、FTIR、少子壽命測試儀的先進(jìn)的測試手段對所制得的薄膜的光學(xué)特性、成

2、分及結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征，并在最后試制出雙層減反膜太陽電池。
　　 實驗發(fā)現(xiàn)a-Si薄膜和SiN薄膜的沉積速率、折射率隨工作電流的增大而增大，隨工作氣壓的增大而減小，在200℃以下受溫度影響很小。實驗制得的最佳a(bǔ)-Si薄膜折射率為3.43，在短波吸收強(qiáng)烈，表面結(jié)構(gòu)緊密，有希望應(yīng)用與疊層太陽電池。實驗所得SiN折射率能在1.45～1.72問改變，在太陽電池響應(yīng)的主要波段沒有吸收；在400℃退火后有明顯的鈍化效果，不過在600℃退火后鈍化效