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文檔簡介
1、Reverse Engineering,版圖反向提取,2024/3/28,浙大微電子,2/57,版圖反向提取實驗,一、實驗形式及內(nèi)容二、Smic .18工藝介紹三、基本元器件介紹四、一些版圖常識五、上機操作步驟及工具使用介紹六、實驗報告及考試,2024/3/28,浙大微電子,3/57,版圖反向提取實驗,一、實驗形式及內(nèi)容二、Smic .18工藝介紹三、基本器件介紹四、一些版圖常識五、上機操作步驟及工具使用介紹六、實驗
2、報告及考試,2024/3/28,浙大微電子,4/57,一. 實驗形式及內(nèi)容,實驗分成兩個組進行,各提取一個模擬電路版圖 + 一個數(shù)字電路版圖第一組(≤3380)提取的版圖為analog1和digital1第二組(>3380)提取的版圖為analog2和digital2,2024/3/28,浙大微電子,5/57,Analog1外端口,2024/3/28,浙大微電子,6/57,Analog2外端口,2024/3/
3、28,浙大微電子,7/57,Digital1外端口,2024/3/28,浙大微電子,8/57,Digital2外端口,2024/3/28,浙大微電子,9/57,從剖面圖到俯視圖,,2024/3/28,浙大微電子,10/57,版圖反向提取實驗,一、實驗形式及內(nèi)容二、Smic .18工藝介紹三、基本元器件介紹四、一些版圖常識五、上機操作步驟及工具使用介紹六、實驗報告及考試,2024/3/28,浙大微電子,11/57,二. SMIC
4、 0 .18工藝介紹,0.18um Mixed Signal 1P6M with MiM Salicide 1.8V/3.3V工藝主要的工藝層次構(gòu)成器件的工藝層次實現(xiàn)互連的工藝層次,2024/3/28,浙大微電子,12/57,構(gòu)成器件的工藝層次,AA——有源區(qū)NW——N阱GT——多晶硅(1.8V)DG——與GT重疊代表厚柵氧多晶硅(3.3V器件的多晶硅柵 氧要厚)SN——S+注入SP——P+注入SAB——Salic
5、ide Block(阻止P+淀積,用于提高多晶硅阻值)PS:想知道更多其它圖層含義,可以參見 Design Rule 文件,2024/3/28,浙大微電子,13/57,實現(xiàn)互連的工藝層次,CT——引線孔 M1-M6——金屬1至金屬6V1-V5 ——通孔1至通孔5MIM ——“金屬/絕緣層/金屬” 電容,2024/3/28,浙大微電子,14/57,版圖反向提取實驗,一、實驗形式及內(nèi)容二、Smic .18工藝介紹三、基本元器件
6、介紹四、一些版圖常識五、上機操作步驟及工具使用介紹六、實驗報告及考試,2024/3/28,浙大微電子,15/57,三. 基本元器件介紹,多晶硅電阻—rppo,rnpoP+ or N+ poly resistor with salicide (rppo小, rnpo 更?。┒嗑Ч鑃AB電阻—rpposab,rnposabP+ or N+ poly resistor without salicide (n大,p更大)MIM 金
7、屬電容--mimPNP 三極管--pnp333.3V PMOS管--p333.3V NMOS管--n331.8V PMOS管--p181.8V NMOS管--n18,2024/3/28,浙大微電子,16/57,rpposab,2024/3/28,浙大微電子,17/57,rpposab,2024/3/28,浙大微電子,18/57,MiM電容,M5M6MIMV5,2024/3/28,浙大微電子,19/57,p18,2024/
8、3/28,浙大微電子,20/57,p18,2024/3/28,浙大微電子,21/57,n18,2024/3/28,浙大微電子,22/57,p33,2024/3/28,浙大微電子,23/57,p33,2024/3/28,浙大微電子,24/57,n33,,2024/3/28,浙大微電子,25/57,pnp33,2024/3/28,浙大微電子,26/57,pnp33,2024/3/28,浙大微電子,27/57,版圖反向提取實驗,一、實驗形式及
9、內(nèi)容二、Smic .18工藝介紹三、基本元器件介紹四、一些版圖常識五、上機操作步驟及工具使用介紹六、實驗報告及考試,2024/3/28,浙大微電子,28/57,一些版圖常識,,2024/3/28,浙大微電子,29/57,一些版圖常識,,2024/3/28,浙大微電子,30/57,一些版圖常識,,2024/3/28,浙大微電子,31/57,關(guān)于模擬版圖中的保護環(huán),保護環(huán)一般是一條包圍器件或電路的帶狀封閉環(huán),它由N+或P+注入形成
10、。保護環(huán)可以減小襯底耦合從而降低電路的噪聲,它常見于對噪聲敏感的數(shù)模混合電路,如ADC和RF電路。此次提取的版圖,每個MOS管都加上了保護環(huán),這是一種保守的做法,產(chǎn)業(yè)界的MOS管不一定是這樣做的。一般是將一個模塊包在一起。,2024/3/28,浙大微電子,32/57,,,2024/3/28,浙大微電子,33/57,版圖反向提取實驗,一、實驗形式及內(nèi)容二、Smic .18工藝介紹三、基本元器件介紹四、一些版圖常識五、上機操作步
11、驟及工具使用介紹六、實驗報告及考試,2024/3/28,浙大微電子,34/57,五.上機操作步驟及工具使用介紹,工作站登錄數(shù)據(jù)準備版圖編輯軟件 Virtuso電路原理圖繪制軟件 Composer,2024/3/28,浙大微電子,35/57,工作站登錄,在微電所網(wǎng)站“服務(wù)指南”下載putty和vncviewer軟件使用putty連接到工作站192.168.83.137,使用SSH協(xié)議登錄用戶名:學號(比如123456789)
12、 putty密碼:eda@zueda工作站上運行vncserver,并記住冒號后返回的端口號:[lab@ZUEDA7 ~]$ vncserverNew 'ZUEDA7:7 (123456789)' desktop is ZUEDA7:7Starting applications specified in /home/xyz/.vnc/xstartupLog file is /home/1234567
13、89/.vnc/ZUEDA7:7.log,2024/3/28,浙大微電子,36/57,首次運行vncserver會要求輸入一個遠程桌面密碼, 創(chuàng)建一個并記住該vnc密碼至整個實驗結(jié)束。本地運行vncviewer,連接工作站地址和端口號:192.168.83.137:7,輸入vnc密碼。PS:putty和vncserver命令只需運行一次(除非服務(wù)器重啟),一個同學只分配這一個端口號至整個實驗結(jié)束,記住該端口號,下次直接運行
14、vncviewer即可。進入vnc界面后,按鼠標左鍵,選擇Xterm后進入命令狀態(tài)。,工作站登錄(續(xù)),2024/3/28,浙大微電子,37/57,2024/3/28,浙大微電子,38/57,,2024/3/28,浙大微電子,39/57,數(shù)據(jù)準備,登錄工作站后,將/tmp/layoutlab 目錄下的版圖文件copy至個人目錄下:cp /tmp/layoutlab/*.* ./設(shè)置環(huán)境并運行cadence軟件[123456789
15、@ZUEDA7 ~]$ source /opt/demo/cds.env[123456789@ZUEDA7 ~]$ icfb &添加工藝庫在icfb的主窗口中選Tools-Library Path Editor, 進入Library Path Editor界面選擇Edit-Add Library,進入Add Library界面選擇(雙擊)/home/pdk/smic18mmrf_
16、1P6M…,按OK鍵自動返回Library Path Editor界面,選擇File-Save As, 填寫/home1/12345678/cds.lib,按OK保存工藝庫文件。,2024/3/28,浙大微電子,40/57,Icfb 主窗口,2024/3/28,浙大微電子,41/57,數(shù)據(jù)準備(續(xù)),創(chuàng)建設(shè)計庫在icfb的主窗口中選File – New – Library,在彈出的窗口中輸入設(shè)計庫名(自定義,比如填 la
17、b),選Attach to an existing techfile,按ok鍵。在彈出的窗口中,technology library選Smic18mmrf庫,按ok按鈕。讀入版圖數(shù)據(jù)文件,生成對應(yīng)單元的layout view在icfb的主窗口中選File–import-stream…, 在彈出的窗口的 input file一欄用browse…選擇所要填入的gds文件(比如digital1或analog1等),在Library na
18、me一欄填 剛創(chuàng)建的設(shè)計庫名lab,按ok按鈕。,2024/3/28,浙大微電子,42/57,2024/3/28,浙大微電子,43/57,2024/3/28,浙大微電子,44/57,版圖編輯-Virtuso,打開對應(yīng)單元的layout view。在icfb的主窗口中選File –open,在彈出的窗口中選剛創(chuàng)建的設(shè)計庫lab以及剛生成的單元analog1,在view name 選擇layout,按OK鍵。在icfb的主窗口中選Too
19、ls-library manager,也可打開對應(yīng)單元的layout view。根據(jù)版圖識別出器件,然后根據(jù)連接關(guān)系抽取出電路圖。,2024/3/28,浙大微電子,45/57,2024/3/28,浙大微電子,46/57,,,2024/3/28,浙大微電子,47/57,Virtuso的使用,放大縮小可以使用左側(cè)邊欄的圖標或者快捷鍵: Ctrl+Z 視圖放大兩倍(也可點住鼠標右鍵拖動) Shift+Z 視圖縮小兩倍選
20、中某個對象(圖層或者器件),按q可查看詳細信息演示,2024/3/28,浙大微電子,48/57,analog1,,2024/3/28,浙大微電子,49/57,analog2,,2024/3/28,浙大微電子,50/57,digital1,,2024/3/28,浙大微電子,51/57,digital2,,2024/3/28,浙大微電子,52/57,電路原理圖繪制-Composer,創(chuàng)建一個對應(yīng)單元的schematic view在ic
21、fb的主窗口中選File – New – CellView,選擇建立的設(shè)計庫lab,并輸入單元名analog1,選擇Composer-Schematic工具。調(diào)用基本單元的電路符號圖Smic18mmrf 庫中的基本單元(含意詳見第15頁): rpposab、 mim、pnp33、p33、n33、p18、n18analogLib庫中的gnd、vdc用快捷鍵i進行基本單元的電路符號圖調(diào)用完成電路原理圖繪制并保存PS:主窗口的to
22、ols->Library Manager也可用以查看現(xiàn)有的版圖和原理圖,2024/3/28,浙大微電子,53/57,2024/3/28,浙大微電子,54/57,,2024/3/28,浙大微電子,55/57,版圖反向提取實驗,一、實驗形式及內(nèi)容二、Smic .18工藝介紹三、基本元器件介紹四、一些版圖常識五、上機操作步驟及工具使用介紹六、實驗報告及考試,2024/3/28,浙大微電子,56/57,六. 實驗報告及考試提交,
23、實驗報告 以電子文檔形式進行提交,要求剪貼數(shù)字電路、模擬電路兩個電原理圖,并說明電路所實現(xiàn)的功能。 PS:循序漸進,請先提取數(shù)字電路,再提取模擬電路上機考試,根據(jù)給定的版圖在二個小時內(nèi)提取出電路原理圖,并用composer繪制出電路圖,最后按照報告的形式進行提交。版圖提取的時間并不充裕,大家需要抓緊時間。動作特別快的同學可用spice仿真一下自己提取出來的電路,驗證功能是否正確。,2024/3/28,浙大微電子,57
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