光譜增感立方體AgCl乳劑的光電子特性研究.pdf

1、染料在鹵化銀上吸附作用的研究對于光譜增感有著重要的意義。本工作利用光譜技術(shù)，微波吸收介電譜檢測技術(shù)和光電子衰減的微觀動力學理論關(guān)系對染料在立方體氯化銀上的吸附作用進行了研究。
　　首先研究了染料吸附對鹵化銀微晶結(jié)構(gòu)的影響。選擇鹵化銀固有吸收波段中355nm波長的光對光譜增感立方體氯化銀乳劑進行曝光，利用微波吸收介電譜檢測技術(shù)測得了乳劑的光電子衰減曲線，分析了增感條件對光電子衰減的影響。發(fā)現(xiàn)隨著增感濃度的變大和增感時間的延長，與未增

2、感乳劑相比，乳劑的光電子衰減先變慢再變快，然后有所回升，結(jié)合光電子衰減的動力學關(guān)系對得到的實驗現(xiàn)象進行了理論分析，結(jié)果表明當染料在氯化銀顆粒上的吸附量較少時，其主要通過修飾微晶表面能級而使其中的深電子陷阱數(shù)目減少；當染料在氯化銀顆粒上的吸附量較多時，其主要通過增加微晶中的Agi+而使其中的深電子陷阱數(shù)目增多；當吸附量達到一定程度時，后一種作用變化不明顯，而前一種作用有所回升，所以微晶中的深電子陷阱數(shù)目又有所減少。并且通過動力學分析從理論

3、上得到了染料主要修飾氯化銀顆粒表面的結(jié)構(gòu)，而對其內(nèi)部結(jié)構(gòu)影響很小的結(jié)論。然后研究了染料吸附對光譜增感的影響。在對增感染料的吸收特性進行分析的基礎(chǔ)之上，選擇光譜增感波段中532nm波長的光對乳劑進行曝光，通過與固有波段的情況進行對比發(fā)現(xiàn)，在增感波段即使在氯化銀顆粒上吸附的染料較少的情況下，其總體上也呈現(xiàn)一個使微晶中的深電子陷阱數(shù)目增多的效果，并且乳劑在增感波段的光電子衰減整體上比在固有波段的光電子衰減快很多。這是由于光電子的產(chǎn)生量不同和微

4、晶表面的區(qū)域效應所造成的。最后，對減感過程的光電子動力學進行了研究。在對減感染料的吸收特性進行分析的基礎(chǔ)之上，利用微波吸收介電譜檢測技術(shù)測量了減感后氯化銀乳劑在532nm波長曝光下的光電子衰減曲線，通過分析減感染料對光電子強度和衰減的影響，發(fā)現(xiàn)在光譜增感波段減感染料通過與增感染料相互競爭的吸收光而影響光譜增感乳劑的光電子強度，并且減感染料通過俘獲光電子使光譜增感乳劑的光電子的衰減變快。
　　本工作所得到的結(jié)果對于分析晶體結(jié)構(gòu)以及光