硫增感氯化銀微晶光電子衰減特性動(dòng)力學(xué)研究.pdf

1、本工作借助于微波吸收介電譜檢測(cè)技術(shù)，系統(tǒng)檢測(cè)了硫與硫加金增感立方體氯化銀微晶光電子的時(shí)間分辨譜。根據(jù)光電子衰減譜隨增感條件的變化，分析了增感中心在不同增感時(shí)間下的陷阱效應(yīng)問題。發(fā)現(xiàn)隨增感時(shí)間的增加，硫增感中心的陷阱效應(yīng)發(fā)生了由空穴陷阱效應(yīng)到淺電子陷阱效應(yīng)再到深電子陷阱效應(yīng)的轉(zhuǎn)變；硫加金增感中心陷阱效應(yīng)發(fā)生了由淺電子陷阱效應(yīng)到深電子陷阱效應(yīng)的轉(zhuǎn)變。
　　 根據(jù)已有的研究鹵化銀動(dòng)力學(xué)關(guān)系的基本能級(jí)模型，結(jié)合實(shí)驗(yàn)條件和光電子衰減特性建

2、立了本工作所需要的氯化銀微晶具體能級(jí)模型，此模型中包含一個(gè)固有淺電子陷阱、兩個(gè)固有深電子陷阱和一個(gè)由增感引入的俘獲中心。對(duì)模型中各種陷阱單獨(dú)存在時(shí)對(duì)光電子衰減的影響進(jìn)行了探討。發(fā)現(xiàn)，由增感引入的陷阱對(duì)光電子整個(gè)衰減過程都有影響，隨增感引入的空穴陷阱濃度的增加，光電子的衰減減慢，濃度越大，光電子衰減越慢，而深度變化對(duì)光電子的衰減幾乎不產(chǎn)生影響；由增感引入的淺電子陷阱，隨其濃度的增加光電子衰減前期加快，后期減慢，總體效果使得光電子衰減時(shí)間變

3、長(zhǎng)，在淺電子陷阱范圍內(nèi)，深度變化對(duì)光電子衰減沒有影響；由增感引入的深電子陷阱濃度的增加使光電子衰減的整個(gè)過程加快，光電子衰減時(shí)間變短，深度只影響最終衰減量。
　　 通過計(jì)算機(jī)求解動(dòng)力學(xué)方程，得到了不同增感時(shí)間下光電子衰減特性曲線和增感乳劑中陷阱的濃度、深度等參數(shù)，據(jù)此對(duì)硫增感氯化銀微晶中光電子的衰減特性進(jìn)行了理論分析。發(fā)現(xiàn)：當(dāng)增感時(shí)間較短時(shí)，微晶中形成的大硫化銀分子團(tuán)簇很少，硫增感產(chǎn)物主要以硫化銀分子形式存在，此時(shí)增感中心起空穴

4、陷阱效應(yīng)，并且隨空穴陷阱濃度的增加，光電子整個(gè)衰減過程減慢，衰減時(shí)間變長(zhǎng)；隨增感時(shí)間的增加，硫聚集體中硫化物分子數(shù)量開始增加，增感中心的陷阱效應(yīng)由空穴陷阱效應(yīng)轉(zhuǎn)變?yōu)闇\電子陷阱效應(yīng)；當(dāng)增感時(shí)間很大時(shí)，就會(huì)加劇增感中心的團(tuán)簇聚集，使陷阱深度逐漸加深同時(shí)新的深電子陷阱數(shù)目逐漸增加，增感中心的陷阱效應(yīng)發(fā)生變化，逐漸表現(xiàn)為較深電子陷阱的特點(diǎn)，并隨深電子陷阱濃度的增加，光電子衰減過程加快，衰減時(shí)間變短。
　　 結(jié)合建立的具體能級(jí)模型，通過求